IXYS - IXTA8N65X2

KEY Part #: K6397362

IXTA8N65X2 ราคา (USD) [37709ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.20311
  • 10 pcs$1.03020
  • 100 pcs$0.82784
  • 500 pcs$0.64387
  • 1,000 pcs$0.53350

ส่วนจำนวน:
IXTA8N65X2
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTA8N65X2 electronic components. IXTA8N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA8N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA8N65X2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTA8N65X2
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 650V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 8A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 800pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 150W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-263
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB