Vishay Siliconix - SI5999EDU-T1-GE3

KEY Part #: K6523833

SI5999EDU-T1-GE3 ราคา (USD) [4034ชิ้นสต็อก]

  • 3,000 pcs$0.09462

ส่วนจำนวน:
SI5999EDU-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - RF and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SI5999EDU-T1-GE3 electronic components. SI5999EDU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5999EDU-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5999EDU-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SI5999EDU-T1-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
ชุด : TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : 2 P-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 6A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 20nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 496pF @ 10V
พลังงาน - สูงสุด : 10.4W
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : PowerPAK® ChipFET™ Dual
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerPAK® ChipFet Dual

คุณอาจสนใจด้วย