ส่วนจำนวน :
IS61LF25636B-7.5TQLI-TR
ผู้ผลิต :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ลักษณะ :
IC SRAM 9M PARALLEL 117MHZ
ประเภทหน่วยความจำ :
Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ :
SRAM
เทคโนโลยี :
SRAM - Synchronous
ขนาดหน่วยความจำ :
9Mb (256K x 36)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา :
117MHz
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :
-
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ :
Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน :
3.135V ~ 3.465V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 85°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
100-LQFP (14x20)