ส่วนจำนวน :
APTML202UM18R010T3AG
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
ประเภท FET :
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET :
Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
109A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
19 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4V @ 2.5mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
-
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
9880pF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SP3