ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S16160G-5BL-TR

KEY Part #: K938150

IS42S16160G-5BL-TR ราคา (USD) [19323ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.64430
  • 2,500 pcs$2.63115

ส่วนจำนวน:
IS42S16160G-5BL-TR
ผู้ผลิต:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
คำอธิบายโดยละเอียด:
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 256M, 3.3V, 200Mhz 16M x 16 SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: อินเตอร์เฟส - ตัวควบคุม, PMIC - ตัวแปลง V / F และ F / V, ลอจิก - ลงทะเบียน Shift, PMIC - ตัวแปลง AC DC, สวิตช์ออฟไลน์, อินเตอร์เฟส - ไดรเวอร์, ตัวรับสัญญาณ, ตัวรับส่งสัญ, การเก็บข้อมูล - ตัวแปลงอนาล็อกเป็นดิจิตอล (ADC), Linear - Amplifiers - แอมป์และโมดูลวิดีโอ and อินเตอร์เฟส - บัฟเฟอร์สัญญาณ, Repeaters, Splitters ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-5BL-TR electronic components. IS42S16160G-5BL-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42S16160G-5BL-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS42S16160G-5BL-TR คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IS42S16160G-5BL-TR
ผู้ผลิต : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ลักษณะ : IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทหน่วยความจำ : Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ : DRAM
เทคโนโลยี : SDRAM
ขนาดหน่วยความจำ : 256Mb (16M x 16)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา : 200MHz
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า : -
เวลาเข้าถึง : 5ns
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ : Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน : 3V ~ 3.6V
อุณหภูมิในการทำงาน : 0°C ~ 70°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 54-TFBGA
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 54-TFBGA (8x8)

ข่าวล่าสุด

คุณอาจสนใจด้วย
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58NVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)