Nexperia USA Inc. - BUK661R8-30C,118

KEY Part #: K6419474

BUK661R8-30C,118 ราคา (USD) [113757ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.32514
  • 4,800 pcs$0.29975

ส่วนจำนวน:
BUK661R8-30C,118
ผู้ผลิต:
Nexperia USA Inc.
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Nexperia USA Inc. BUK661R8-30C,118 electronic components. BUK661R8-30C,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK661R8-30C,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUK661R8-30C,118 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BUK661R8-30C,118
ผู้ผลิต : Nexperia USA Inc.
ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
ชุด : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 120A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.8V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 168nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±16V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 10918pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 263W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D2PAK
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

คุณอาจสนใจด้วย