Infineon Technologies - IDC28D120T6MX1SA2

KEY Part #: K6439904

IDC28D120T6MX1SA2 ราคา (USD) [19939ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.06688

ส่วนจำนวน:
IDC28D120T6MX1SA2
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IDC28D120T6MX1SA2 electronic components. IDC28D120T6MX1SA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDC28D120T6MX1SA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDC28D120T6MX1SA2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IDC28D120T6MX1SA2
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 50A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 2.05V @ 50A
ความเร็ว : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 10µA @ 1200V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : Die
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Sawn on foil
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -40°C ~ 175°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • BAS19

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • MMBD4448

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast

  • MMBD1501A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS29

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • BAV20W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM

  • 1N4148W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns