ส่วนจำนวน :
IS61NVP102418-200TQLI
ผู้ผลิต :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ลักษณะ :
IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP
ประเภทหน่วยความจำ :
Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ :
SRAM
เทคโนโลยี :
SRAM - Synchronous
ขนาดหน่วยความจำ :
18Mb (1M x 18)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา :
200MHz
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :
-
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ :
Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน :
2.375V ~ 2.625V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 85°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
100-LQFP (14x20)