Microsemi Corporation - APTGT50H60T1G

KEY Part #: K6533086

APTGT50H60T1G ราคา (USD) [2475ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$17.50148
  • 100 pcs$17.08326

ส่วนจำนวน:
APTGT50H60T1G
ผู้ผลิต:
Microsemi Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT50H60T1G electronic components. APTGT50H60T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50H60T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50H60T1G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : APTGT50H60T1G
ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
ลักษณะ : IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : Trench Field Stop
องค์ประกอบ : Full Bridge Inverter
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 600V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 80A
พลังงาน - สูงสุด : 176W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 250µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : Yes
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : SP1
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SP1