ส่วนจำนวน :
APTGFQ25H120T2G
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
IGBT 1200V 40A 227W MODULE
สถานะส่วนหนึ่ง :
Not For New Designs
ประเภท IGBT :
NPT and Fieldstop
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
40A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 25A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
250µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
2.02nF @ 25V
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SP2