Rohm Semiconductor - TT8U1TR

KEY Part #: K6404868

TT8U1TR ราคา (USD) [358318ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.11412
  • 3,000 pcs$0.11355

ส่วนจำนวน:
TT8U1TR
ผู้ผลิต:
Rohm Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Rohm Semiconductor TT8U1TR electronic components. TT8U1TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TT8U1TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TT8U1TR คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TT8U1TR
ผู้ผลิต : Rohm Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 2.4A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 6.7nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 850pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : Schottky Diode (Isolated)
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.25W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-TSST
แพ็คเกจ / เคส : 8-SMD, Flat Lead

คุณอาจสนใจด้วย