ON Semiconductor - FQD9N25TF

KEY Part #: K6410784

[14016ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    FQD9N25TF
    ผู้ผลิต:
    ON Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - RF, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in ON Semiconductor FQD9N25TF electronic components. FQD9N25TF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD9N25TF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD9N25TF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : FQD9N25TF
    ผู้ผลิต : ON Semiconductor
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
    ชุด : QFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 250V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 7.4A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 3.7A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 20nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±30V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 700pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.5W (Ta), 55W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D-Pak
    แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63