Rohm Semiconductor - RSS075P03TB

KEY Part #: K6412321

[13485ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    RSS075P03TB
    ผู้ผลิต:
    Rohm Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and โมดูลไดรเวอร์พลังงาน ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Rohm Semiconductor RSS075P03TB electronic components. RSS075P03TB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSS075P03TB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RSS075P03TB คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : RSS075P03TB
    ผู้ผลิต : Rohm Semiconductor
    ลักษณะ : MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-SOIC
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Active
    ประเภท FET : P-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 7.5A (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 7.5A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 1mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 30nC @ 5V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2900pF @ 10V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2W (Ta)
    อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SOP
    แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    คุณอาจสนใจด้วย
    • IRLR7811WPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 64A DPAK.

    • FDD24AN06LA0_SB82179

      ON Semiconductor

      INTEGRATED CIRCUIT.

    • IRLR3105PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 25A DPAK.

    • IRLR3705Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRFR2307Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

    • IRFR2607Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.