ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
DIODE SILICON 650V 32A TO220
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
ประเภทไดโอด :
Silicon Carbide Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
650V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) :
32A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1.8V @ 20A
ความเร็ว :
No Recovery Time > 500mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
0ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
400µA @ 650V
ความจุ @ Vr, F :
680pF @ 100mV, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-220 [K]
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-55°C ~ 150°C