JANTX1N6312US ราคา (USD) [279ชิ้นสต็อก]
- 1 pcs$158.60680
- 10 pcs$150.94992
- 50 pcs$145.48072
- 100 pcs$142.19920
- 250 pcs$140.01152
- 500 pcs$136.73000
- 1,000 pcs$131.26080
- ส่วนจำนวน:
- JANTX1N6312US
- ผู้ผลิต:
- Microsemi Corporation
- คำอธิบายโดยละเอียด:
- DIODE ZENER 3.3V 500MW B-SQ MELF. Zener Diodes Zener Diodes
- Manufacturer's standard lead time:
- มีสินค้า
- อายุการเก็บรักษา:
- หนึ่งปี
- ชิปจาก:
- ฮ่องกง
- เป็นไปตามมาตรฐาน:
- วิธีการชำระเงิน:
-
- วิธีการจัดส่ง:
- หมวดหมู่ครอบครัว:
- KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
- ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
- We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6312US electronic components. JANTX1N6312US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6312US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANTX1N6312US คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ส่วนจำนวน :
JANTX1N6312US
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
DIODE ZENER 3.3V 500MW B-SQ MELF
ชุด :
Military, MIL-PRF-19500/533
สถานะส่วนหนึ่ง :
Active
แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) :
3.3V
ความอดทน :
±5%
พลังงาน - สูงสุด :
500mW
ความต้านทาน (สูงสุด) (Zzt) :
27 Ohms
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
5µA @ 1V
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1.4V @ 1A
อุณหภูมิในการทำงาน :
-65°C ~ 175°C
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
SQ-MELF, B
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
B, SQ-MELF
คุณอาจสนใจด้วย
-
BAW156E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
SMBD7000E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A
-
1SS181,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
-
BAV170E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array
-
BAV70E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA
อะไหล่ร้อน
- BZX85C6V8_T50A
- MM5Z30VT1G
- MM5Z6V2ST1
- BZX84C15ET1
- MMSZ4701T1
- MMSZ5252B-7
- 1N3315RA
- CDLL4913
- 1N4584-1
- JAN1N6319C
- JANTX1N750DUR-1
- MAZ410000F
- CZ5386B TR
- CMSZ5246B BK
- JANTX1N4957D
- JANTXV1N4472C
- JANTXV1N5968US
- VLZ9V1B-GS08
- 1N5930C G
- 1N5922B G
- JANTX1N964BUR-1
- SMBG5930BE3/TR13
- 2EZ200D/TR12
- 2EZ160D/TR12
- 1N5378E3/TR13
- CD1005-Z7V5
- SMPZ3922B-E3/85A
- MMSZ27T3
- MAZ23000AG
- MMSZ5251B
- CDLL973B
- BZX84B4V7-HE3-18
- BZX84W-B20X
- MMBZ4702-G3-08
- MMBZ4693-G3-18
- MMBZ5265B-G3-08
- BZX84W-C33X
- TZQ5246B-GS18
- TZQ5259B-GS08
- TZQ5251B-GS18