IXYS - IXFP4N100P

KEY Part #: K6395185

IXFP4N100P ราคา (USD) [41564ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.08728
  • 50 pcs$1.08188

ส่วนจำนวน:
IXFP4N100P
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - SCRs and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXFP4N100P electronic components. IXFP4N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP4N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP4N100P คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFP4N100P
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
ชุด : HiPerFET™, PolarP2™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1000V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 4A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1456pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 150W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220AB
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

คุณอาจสนใจด้วย
  • IXTY1N80P

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 1A TO-252.

  • IXTY48P05T

    IXYS

    MOSFET P-CH 50V 48A TO-252.

  • IXTY08N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252.

  • IXTY1N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252.

  • FDN359BN

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3.

  • FDN358P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3.