ส่วนจำนวน :
APTGF165DA60D1G
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
IGBT 600V 230A 730W D1
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
600V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
230A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.5V @ 15V, 200A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
500µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
9nF @ 25V
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
D1