ผู้ผลิต :
GeneSiC Semiconductor
ลักษณะ :
DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER
การกำหนดค่าไดโอด :
1 Pair Common Cathode
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
200V
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io) (ต่อไดโอด) :
200A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1.3V @ 200A
ความเร็ว :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
-
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
25µA @ 200V
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-55°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส :
Three Tower
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
Three Tower