ส่วนจำนวน :
BSM50GD120DN2BOSA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
สถานะส่วนหนึ่ง :
Not For New Designs
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
72A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
3V @ 15V, 50A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
1mA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
3.3nF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
Module