NXP USA Inc. - PHD23NQ10T,118

KEY Part #: K6400257

[3460ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    PHD23NQ10T,118
    ผู้ผลิต:
    NXP USA Inc.
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 100V 23A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in NXP USA Inc. PHD23NQ10T,118 electronic components. PHD23NQ10T,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHD23NQ10T,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHD23NQ10T,118 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : PHD23NQ10T,118
    ผู้ผลิต : NXP USA Inc.
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
    ชุด : TrenchMOS™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 23A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 13A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 1mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 22nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1187pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 100W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DPAK
    แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    คุณอาจสนใจด้วย
    • BSP304A,126

      NXP USA Inc.

      MOSFET P-CH 300V 0.17A SOT54.

    • BSN304,126

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 300V 300MA SOT54.

    • BSP254A,126

      NXP USA Inc.

      MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54.

    • BSN254,126

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54.

    • BSN254A,126

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54.

    • BS108,126

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54.