Microsemi Corporation - APT38M50J

KEY Part #: K6409278

APT38M50J ราคา (USD) [337ชิ้นสต็อก]

  • 21 pcs$10.84938

ส่วนจำนวน:
APT38M50J
ผู้ผลิต:
Microsemi Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microsemi Corporation APT38M50J electronic components. APT38M50J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT38M50J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT38M50J คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : APT38M50J
ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
ลักษณะ : MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
ชุด : POWER MOS 8™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 500V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 38A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 2.5mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 220nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 8800pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 357W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : ISOTOP®
แพ็คเกจ / เคส : SOT-227-4, miniBLOC

คุณอาจสนใจด้วย
  • 2N7000G

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • BS170P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • BS170RLRPG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • BS170RLRP

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • BS107ARL1G

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.

  • BS107ARL1

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.