ส่วนจำนวน :
IPP80N06S2L09AKSA2
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
55V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
80A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
8.5 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2V @ 125µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
105nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
2620pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
190W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PG-TO220-3-1