ผู้ผลิต :
Texas Instruments
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
12V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
3.5A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
11.2nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1370pF @ 6V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
1.9W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
6-DSBGA (1x1.5)
แพ็คเกจ / เคส :
6-UFBGA, DSBGA