Infineon Technologies - 6PS03012E33G34160NOSA1

KEY Part #: K6532632

6PS03012E33G34160NOSA1 ราคา (USD) [18ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1905.70500

ส่วนจำนวน:
6PS03012E33G34160NOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT MODULE 300V 3X 234A.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies 6PS03012E33G34160NOSA1 electronic components. 6PS03012E33G34160NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 6PS03012E33G34160NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

6PS03012E33G34160NOSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : 6PS03012E33G34160NOSA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : IGBT MODULE 300V 3X 234A
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Not For New Designs
ประเภท IGBT : -
องค์ประกอบ : Three Phase Inverter
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : -
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : -
พลังงาน - สูงสุด : 2100W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 300A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : -
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : -
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : No
อุณหภูมิในการทำงาน : -25°C ~ 55°C
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : Module
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Module

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.