ส่วนจำนวน :
2SK545-11D-TB-E
ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
JFET N-CH 1MA 125MW CP
แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย (V (BR) GSS) :
-
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
40V
ปัจจุบัน - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) :
60µA @ 10V
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (Id) - สูงสุด :
1mA
แรงดันไฟฟ้า - ลัด (ปิด VGS) @ รหัส :
1.5V @ 1µA
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1.7pF @ 10V
ความต้านทาน - RDS (เปิด) :
-
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
3-CP