Infineon Technologies - FD1000R17IE4BOSA2

KEY Part #: K6533656

FD1000R17IE4BOSA2 ราคา (USD) [168ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$273.90251

ส่วนจำนวน:
FD1000R17IE4BOSA2
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT MODULE VCES 1700V 1000A.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies FD1000R17IE4BOSA2 electronic components. FD1000R17IE4BOSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FD1000R17IE4BOSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD1000R17IE4BOSA2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FD1000R17IE4BOSA2
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : -
องค์ประกอบ : Single
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1700V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : -
พลังงาน - สูงสุด : 6250W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 1000A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 5mA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 81nF @ 25V
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : Yes
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : Module
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Module

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.