ส่วนจำนวน :
GURB5H60HE3/81
ผู้ผลิต :
Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ :
DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
600V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) :
5A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1.8V @ 5A
ความเร็ว :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
30ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
20µA @ 600V
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-263AB
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-55°C ~ 150°C