ส่วนจำนวน :
BSZ900N15NS3GATMA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
150V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
13A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
8V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4V @ 20µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
7nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
510pF @ 75V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
38W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PG-TSDSON-8
แพ็คเกจ / เคส :
8-PowerTDFN