ON Semiconductor - FDC608PZ

KEY Part #: K6395929

FDC608PZ ราคา (USD) [411172ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.09041
  • 3,000 pcs$0.08996

ส่วนจำนวน:
FDC608PZ
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด and โมดูลไดรเวอร์พลังงาน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor FDC608PZ electronic components. FDC608PZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC608PZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC608PZ คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FDC608PZ
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6
ชุด : PowerTrench®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 5.8A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 23nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±12V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1330pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.6W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SuperSOT™-6
แพ็คเกจ / เคส : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

คุณอาจสนใจด้วย