Infineon Technologies - IAUC120N04S6L008ATMA1

KEY Part #: K6395691

IAUC120N04S6L008ATMA1 ราคา (USD) [72424ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.53989

ส่วนจำนวน:
IAUC120N04S6L008ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IAUC120N04S6L008ATMA1 electronic components. IAUC120N04S6L008ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IAUC120N04S6L008ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IAUC120N04S6L008ATMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IAUC120N04S6L008ATMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8
ชุด : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 40V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 120A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 0.8 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 90µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±16V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 7910pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 150W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TDSON-8
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerTDFN