Infineon Technologies - IDP08E65D2XKSA1

KEY Part #: K6441550

IDP08E65D2XKSA1 ราคา (USD) [59949ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.44737
  • 10 pcs$0.39887
  • 100 pcs$0.29417
  • 500 pcs$0.24302
  • 1,000 pcs$0.19186

ส่วนจำนวน:
IDP08E65D2XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IDP08E65D2XKSA1 electronic components. IDP08E65D2XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDP08E65D2XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDP08E65D2XKSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IDP08E65D2XKSA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 650V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 8A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 2.3V @ 3A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 40ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 40µA @ 650V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-2
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220-2
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -40°C ~ 175°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-CPU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L

  • VS-E4PH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L