Nexperia USA Inc. - PHKD3NQ10T,518

KEY Part #: K6523491

PHKD3NQ10T,518 ราคา (USD) [4147ชิ้นสต็อก]

  • 10,000 pcs$0.23477

ส่วนจำนวน:
PHKD3NQ10T,518
ผู้ผลิต:
Nexperia USA Inc.
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Nexperia USA Inc. PHKD3NQ10T,518 electronic components. PHKD3NQ10T,518 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHKD3NQ10T,518, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PHKD3NQ10T,518 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : PHKD3NQ10T,518
ผู้ผลิต : Nexperia USA Inc.
ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
ชุด : TrenchMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 3A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 21nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 633pF @ 20V
พลังงาน - สูงสุด : 2W
อุณหภูมิในการทำงาน : -65°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO

คุณอาจสนใจด้วย