Ampleon USA Inc. - BLF8G22LS-200GV,12

KEY Part #: K6465769

BLF8G22LS-200GV,12 ราคา (USD) [1221ชิ้นสต็อก]

1 pcs$51.21402
96 pcs$50.95922

ส่วนจำนวน:: BLF8G22LS-200GV,12

ผู้ผลิต:: Ampleon USA Inc.

คำอธิบายโดยละเอียด:: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C.

Manufacturer's standard lead time:: มีสินค้า

อายุการเก็บรักษา:: หนึ่งปี

ชิปจาก:: ฮ่องกง

เป็นไปตามมาตรฐาน:

วิธีการชำระเงิน:

วิธีการจัดส่ง:

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in Ampleon USA Inc. BLF8G22LS-200GV,12 electronic components. BLF8G22LS-200GV,12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLF8G22LS-200GV,12, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

BLF8G22LS-200GV,12 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BLF8G22LS-200GV,12

ผู้ผลิต : Ampleon USA Inc.

ลักษณะ : RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C

ชุด : -

สถานะส่วนหนึ่ง : Active

ประเภททรานซิสเตอร์ : LDMOS

ความถี่ : 2.11GHz ~ 2.17GHz

ได้รับ : 19dB

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ : 28V

คะแนนปัจจุบัน : -

รูปเสียงรบกวน : -

ปัจจุบัน - การทดสอบ : 2A

พลังงาน - เอาท์พุท : 55W

แรงดันไฟฟ้า - จัดอันดับ : 65V

แพ็คเกจ / เคส : SOT-1244C

แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : CDFM6

คุณอาจสนใจด้วย

MMBFJ310

ON Semiconductor

RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.
AFM906NT1

NXP USA Inc.

WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.
A2T27S007NT1

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.
AFM907NT1

NXP USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.
MHT1108NT1

NXP USA Inc.

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.
AFT27S006NT1

NXP USA Inc.

FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W.

English ภาษาไทย