ส่วนจำนวน :
IPP048N12N3GXKSA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
120V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
100A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4V @ 230µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
182nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
12000pF @ 60V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
300W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PG-TO220-3-1