Taiwan Semiconductor Corporation - TSM061NA03CV RGG

KEY Part #: K6397044

TSM061NA03CV RGG ราคา (USD) [194697ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.18997

ส่วนจำนวน:
TSM061NA03CV RGG
ผู้ผลิต:
Taiwan Semiconductor Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM061NA03CV RGG electronic components. TSM061NA03CV RGG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM061NA03CV RGG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM061NA03CV RGG คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TSM061NA03CV RGG
ผู้ผลิต : Taiwan Semiconductor Corporation
ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 66A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 6.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 19.3nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1136pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 44.6W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-PDFN (3x3)
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerWDFN

คุณอาจสนใจด้วย
  • IRFR220NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 200V 5A DPAK.

  • IRLR3410PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • FDD390N15ALZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3.

  • TK56A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 56A TO-220.

  • STT6N3LLH6

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6.

  • STT4P3LLH6

    STMicroelectronics

    MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6.