Rohm Semiconductor - SP8K1FU6TB

KEY Part #: K6524146

SP8K1FU6TB ราคา (USD) [3929ชิ้นสต็อก]

  • 2,500 pcs$0.19003

ส่วนจำนวน:
SP8K1FU6TB
ผู้ผลิต:
Rohm Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Rohm Semiconductor SP8K1FU6TB electronic components. SP8K1FU6TB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SP8K1FU6TB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SP8K1FU6TB คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SP8K1FU6TB
ผู้ผลิต : Rohm Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 5A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 51 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 5.5nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 230pF @ 10V
พลังงาน - สูงสุด : 2W
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SOP

คุณอาจสนใจด้วย