Infineon Technologies - IRF7820TRPBF

KEY Part #: K6420074

IRF7820TRPBF ราคา (USD) [157735ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.23449
  • 4,000 pcs$0.22511

ส่วนจำนวน:
IRF7820TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IRF7820TRPBF electronic components. IRF7820TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7820TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7820TRPBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IRF7820TRPBF
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 3.7A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 100µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1750pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

คุณอาจสนใจด้วย