ส่วนจำนวน :
2N7002BKMB,315
ผู้ผลิต :
Nexperia USA Inc.
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFN
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
450mA (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
1.6 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
0.6nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
50pF @ 10V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
360mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
DFN1006B-3