Toshiba Semiconductor and Storage - TK380A60Y,S4X

KEY Part #: K6397778

TK380A60Y,S4X ราคา (USD) [66799ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.64387
  • 50 pcs$0.51510
  • 100 pcs$0.45071
  • 500 pcs$0.33064
  • 1,000 pcs$0.26103

ส่วนจำนวน:
TK380A60Y,S4X
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - RF and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK380A60Y,S4X electronic components. TK380A60Y,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK380A60Y,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK380A60Y,S4X คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TK380A60Y,S4X
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
ชุด : DTMOSV
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 9.7A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 360µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 590pF @ 300V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 30W
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220SIS
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3 Full Pack

คุณอาจสนใจด้วย
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.