Vishay Semiconductor Diodes Division - EGL34FHE3/83

KEY Part #: K6447649

[1351ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    EGL34FHE3/83
    ผู้ผลิต:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL34FHE3/83 electronic components. EGL34FHE3/83 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL34FHE3/83, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGL34FHE3/83 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : EGL34FHE3/83
    ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
    ลักษณะ : DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213
    ชุด : SUPERECTIFIER®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Discontinued at Digi-Key
    ประเภทไดโอด : Standard
    แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 300V
    ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 500mA
    แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.35V @ 500mA
    ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 50ns
    ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 5µA @ 300V
    ความจุ @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : DO-213AA (Glass)
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-213AA (GL34)
    อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 175°C

    คุณอาจสนใจด้วย
    • RURD660S9A-F085

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

    • RURD660S9A-F085P

      ON Semiconductor

      UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

    • FFSD08120A

      ON Semiconductor

      1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

    • RURD460S9A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.