JAN1N3766R ราคา (USD) [1431ชิ้นสต็อก]
- 1 pcs$30.39572
- 100 pcs$30.24450
- ส่วนจำนวน:
- JAN1N3766R
- ผู้ผลิต:
- Microsemi Corporation
- คำอธิบายโดยละเอียด:
- DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB. Rectifiers Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- มีสินค้า
- อายุการเก็บรักษา:
- หนึ่งปี
- ชิปจาก:
- ฮ่องกง
- เป็นไปตามมาตรฐาน:
- วิธีการชำระเงิน:
-
- วิธีการจัดส่ง:
- หมวดหมู่ครอบครัว:
- KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ ...
- ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
- We specialize in Microsemi Corporation JAN1N3766R electronic components. JAN1N3766R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N3766R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JAN1N3766R คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ส่วนจำนวน :
JAN1N3766R
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
ชุด :
Military, MIL-PRF-19500/297
สถานะส่วนหนึ่ง :
Active
ประเภทไดโอด :
Standard, Reverse Polarity
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
800V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) :
35A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1.4V @ 110A
ความเร็ว :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
-
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
10µA @ 800V
ความจุ @ Vr, F :
-
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis, Stud Mount
แพ็คเกจ / เคส :
DO-203AB, DO-5, Stud
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
DO-5
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-65°C ~ 175°C
คุณอาจสนใจด้วย
-
UD0506T-TL-HX
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
SCS212AJTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A DPAK
-
SCS210AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
VS-8EWF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
-
อะไหล่ร้อน
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A