ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
ประเภท IGBT :
Trench Field Stop
องค์ประกอบ :
Full Bridge Inverter
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
600V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
430A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
1.8V @ 15V, 300A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
350µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
24nF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SP6