Vishay Siliconix - IRFD9123

KEY Part #: K6403048

[2493ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IRFD9123
    ผู้ผลิต:
    Vishay Siliconix
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Siliconix IRFD9123 electronic components. IRFD9123 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD9123, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFD9123 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IRFD9123
    ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
    ลักษณะ : MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : P-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 1A (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : -
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 600mA, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 18nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : -
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 390pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : -
    อุณหภูมิในการทำงาน : -
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 4-HVMDIP
    แพ็คเกจ / เคส : 4-DIP (0.300", 7.62mm)