ON Semiconductor - NVMFD5485NLT3G

KEY Part #: K6525179

NVMFD5485NLT3G ราคา (USD) [109290ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.33843
  • 5,000 pcs$0.30767

ส่วนจำนวน:
NVMFD5485NLT3G
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน and ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor NVMFD5485NLT3G electronic components. NVMFD5485NLT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFD5485NLT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5485NLT3G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : NVMFD5485NLT3G
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Not For New Designs
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 5.3A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 44 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 20nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 560pF @ 25V
พลังงาน - สูงสุด : 2.9W
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerTDFN
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

คุณอาจสนใจด้วย
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J5TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC.