ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
12V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
19A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
11.7 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
9.5nC @ 6V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
913pF @ 6V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
2.16W
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PowerDI3333-8
แพ็คเกจ / เคส :
8-PowerVDFN