ส่วนจำนวน :
SI2333DS-T1-GE3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
12V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
4.1A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1100pF @ 6V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
750mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SOT-23-3 (TO-236)
แพ็คเกจ / เคส :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3