ผู้ผลิต :
Texas Instruments
ลักษณะ :
IC DUAL HS PWR FET DRVR 8-SOIC
การกำหนดค่าขับเคลื่อน :
Low-Side
ประเภทเกท :
N-Channel, P-Channel MOSFET
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน :
4.5V ~ 15V
ตรรกะแรงดันไฟฟ้า - VIL, VIH :
1V, 2V
ปัจจุบัน - เอาต์พุตสูงสุด (แหล่งที่มา, Sink) :
4A, 4A
ประเภทอินพุต :
Non-Inverting
แรงดันไฟฟ้าด้านสูง - สูงสุด (Bootstrap) :
-
เวลาขึ้น / ตก (ประเภท) :
20ns, 15ns
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-SOIC