Toshiba Memory America, Inc. - THGBMNG5D1LBAIT

KEY Part #: K936892

THGBMNG5D1LBAIT ราคา (USD) [15336ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.98795

ส่วนจำนวน:
THGBMNG5D1LBAIT
ผู้ผลิต:
Toshiba Memory America, Inc.
คำอธิบายโดยละเอียด:
IC FLASH 32G MMC 52MHZ 153WFBGA.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: PMIC - ระบบแสงสว่าง, ตัวควบคุมบัลลาสต์, Clock / Timing - การใช้งานเฉพาะ, PMIC - วงจรควบคุมแรงดันไฟฟ้า - เชิงเส้น, อินเตอร์เฟซ - บันทึกเสียงและเล่น, ลอจิก - ประตูและอินเวอร์เตอร์, นาฬิกา / กำหนดเวลา - สายหน่วงเวลา, Clock / Timing - นาฬิกาเวลาจริง and ลอจิก - สวิตช์สัญญาณมัลติเพล็กเซอร์ตัวถอดรหัส ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. THGBMNG5D1LBAIT electronic components. THGBMNG5D1LBAIT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for THGBMNG5D1LBAIT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

THGBMNG5D1LBAIT คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : THGBMNG5D1LBAIT
ผู้ผลิต : Toshiba Memory America, Inc.
ลักษณะ : IC FLASH 32G MMC 52MHZ 153WFBGA
ชุด : e•MMC™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทหน่วยความจำ : Non-Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ : FLASH
เทคโนโลยี : FLASH - NAND
ขนาดหน่วยความจำ : 32Gb (4G x 8)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา : 52MHz
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า : -
เวลาเข้าถึง : -
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ : eMMC
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน : 2.7V ~ 3.6V
อุณหภูมิในการทำงาน : -25°C ~ 85°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 153-WFBGA
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 153-WFBGA (11x10)

คุณอาจสนใจด้วย
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16

  • EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 1G 32MX32 FBGA