NXP USA Inc. - BUK9E8R5-40E,127

KEY Part #: K6400024

[8873ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    BUK9E8R5-40E,127
    ผู้ผลิต:
    NXP USA Inc.
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and ไดโอด - RF ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in NXP USA Inc. BUK9E8R5-40E,127 electronic components. BUK9E8R5-40E,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK9E8R5-40E,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK9E8R5-40E,127 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : BUK9E8R5-40E,127
    ผู้ผลิต : NXP USA Inc.
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
    ชุด : TrenchMOS™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 40V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 75A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 6.6 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.1V @ 1mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 20.9nC @ 5V
    Vgs (สูงสุด) : ±10V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2600pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 96W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : I2PAK
    แพ็คเกจ / เคส : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    คุณอาจสนใจด้วย
    • VN0550N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

    • DN2535N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

    • VP2206N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

    • VN0106N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

    • LP0701N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.

    • R6006ANX

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM.