Taiwan Semiconductor Corporation - ES3A V7G

KEY Part #: K6426593

ES3A V7G ราคา (USD) [633613ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.05838

ส่วนจำนวน:
ES3A V7G
ผู้ผลิต:
Taiwan Semiconductor Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB. Rectifiers 35ns 3A 50V Sp Fst Recov Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - SCRs and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES3A V7G electronic components. ES3A V7G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3A V7G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES3A V7G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : ES3A V7G
ผู้ผลิต : Taiwan Semiconductor Corporation
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 50V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 3A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : -
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 35ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 10µA @ 50V
ความจุ @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : DO-214AB, SMC
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-214AB (SMC)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • NRVTSA4100T3G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 4A 100V SMA-2. Schottky Diodes & Rectifiers AUTO STANDARD OF NTS

  • NRVBS360BT3G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 60V 4A SMB. Schottky Diodes & Rectifiers 3A 60V SCHOTTKY SMB

  • MUR110RLG

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL. Rectifiers 100V 1A UltraFast

  • RS1BB-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 100V 1A SMB. Rectifiers 1.0A 100V

  • RS2M-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMB. Rectifiers 2.0A 1000V

  • PR1501-T

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO15. Rectifiers 1.5A 50V